IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2000+ | 0.89 EUR |
| 4000+ | 0.83 EUR |
| 10000+ | 0.73 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFR1018ETRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFR1018ETRPBF nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 17976 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 5354 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 79A 8.4mOhm 46nC Qg |
auf Bestellung 24325 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 56A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
auf Bestellung 8668 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR1018ETRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79 A, 0.0071 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4070 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
 |
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFR1018ETRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 79A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||
| IRFR1018ETRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFR1018ETRPBF SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |