IRFPS3810 Infineon
Hersteller: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 30V; 9mOhm; 170A; 580W; -55°C ~ 175°C; IRFPS3810 TIRFPS3810
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 30V; 9mOhm; 170A; 580W; -55°C ~ 175°C; IRFPS3810 TIRFPS3810
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
5+ | 13.78 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFPS3810 Infineon
Description: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247, Packaging: Bag, Package / Case: TO-274AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 580W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6790 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFPS3810 nach Preis ab 5.48 EUR bis 5.48 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFPS3810 Produktcode: 58957 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: Super-247 Uds,V: 100 Idd,A: 170 Rds(on), Ohm: 01.09.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 6790/260 Bem.: HEXFET Power MOSFET JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|
|||||
IRFPS3810 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247 Packaging: Bag Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 580W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6790 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |