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IRFP4868PBF

IRFP4868PBF Infineon

irfp4868pbf.pdf
Produktcode: 56397
Hersteller: Infineon
Uds,V: 300 V
Idd,A: 70 A
Rds(on), Ohm: 25,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10774/180
JHGF: THT
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IRFP4868PBF IRFP4868PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4868pbf.pdffileid5546d462533600a40153562c9c822023.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4868PBF IRFP4868PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4868PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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8+10.15 EUR
10+ 7.35 EUR
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IRFP4868PBF IRFP4868PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFP4868PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFP4868PBF IRFP4868PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4868pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c9c822023 Description: MOSFET N-CH 300V 70A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V
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25+ 7.05 EUR
100+ 6.03 EUR
500+ 5.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP4868_DS_v01_02_EN-3363063.pdf MOSFETs 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC
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10+ 10.07 EUR
25+ 9.13 EUR
100+ 8.38 EUR
250+ 7.88 EUR
400+ 7.39 EUR
1200+ 6.67 EUR
IRFP4868PBF IRFP4868PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003614922-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP4868PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.0255 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 517W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFP4868PBF IRFP4868PBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS19316-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFP4868PBF - IRFP4868 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 70 Stücke:
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IRFP4868PBF IRFP4868PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4868pbf.pdffileid5546d462533600a40153562c9c822023.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4868PBF IRFP4868PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4868pbf.pdffileid5546d462533600a40153562c9c822023.pdffileid55.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
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10+ 0.03 EUR
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1000+ 0.023 EUR
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Produktcode: 16343		 HI_Voltage_070726.pdf
2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische Hochvolt
Kapazität: 2,2nF
Nennspannung: 3000V
TKE: Z5V
Präzision: -20/+80% Z
Abmessungen: D<=8,5mm
Part Nummer: KF3F222Z-L016BD8.5
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 1881 Stück
239 Stück - stock Köln
1642 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.16 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.079 EUR
1000+ 0.072 EUR
BC807-40
Produktcode: 3638		 BC807_.pdf
BC807-40
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 32 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.022 EUR
1000+ 0.014 EUR
BC857C
Produktcode: 2027		 BC856,857.pdf
BC857C
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 800
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 806 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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