IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-901
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10880 pF @ 50 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 2+ | 13.89 EUR |
| 10+ | 9.5 EUR |
| 100+ | 7.01 EUR |
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Technische Details IRFP4768PBFXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 93A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 520W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRFP4768PBFXKMA1 nach Preis ab 4.95 EUR bis 14.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4768PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 93 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 93A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 520W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 93A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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| IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IRFP4768PBFXKMA1 |
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IRFP4768PBFXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
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