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IRFP4227PBF

IRFP4227PBF

irfp4227pbf.pdf
Produktcode: 26521
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 65
Rds(on), Ohm: 0.021
JHGF: THT
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Technische Details IRFP4227PBF IR

  • MOSFET, N, 200V, TO-247
  • Transistor Polarity:N
  • Max Current Id:65A
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:25ohm
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Max Voltage Vgs:30V
  • Power Dissipation:330W
  • Operating Temperature Range:-40`C to +175`C
  • Transistor Case Style:TO-247
  • SVHC:No SVHC
  • Case Style:TO-247
  • Cont Current Id:65A
  • Cont Current Id @ 100`C:46A
  • Cont Current Id @ 25`C:65A
  • Power Dissipation Pd:330W
  • Pulse Current Idm:260A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:240V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Voltage Vds:200V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Rth:0.45

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP4227_DataSheet_v01_01_EN-3363093.pdf MOSFET MOSFT 200V 65A 25mOhm 70nC Qg
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562927642004 Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 65 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4227PBF irfp4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562927642004 IRFP4227PBF Транзисторы MOS FET Power
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFP4227PBF IRFP4227PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp4227pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Produktcode: 23066		 irfp90n20d.pdf
IRFP90N20DPBF
Hersteller: IR
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Gehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 94
Rds(on), Ohm: 0.023
Ciss, pF/Qg, nC: 6040/180
JHGF: THT
auf Bestellung 47 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+2.88 EUR
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Produktcode: 160670		 ss12_thru-ss110.pdf
SS16
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA-W
Vrrm(V): 60 V
If(A): 1 А
VF@IF: 0,7 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 30 A
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10nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W103K1HL2-L)
Produktcode: 2895		 multilayer_ceramic_capacitorsepoxy.pdf
10nF 50V X7R K(+/-10%) (R15W103K1HL2-L)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren keramische > Kondensatoren keramische mehrschichtige
Kapazität: 10nF
Nennspannung: 50V
TKE: X7R
Präzision: ±10% K
Abmessungen: 2,54mm
Part Nummer: R15W103K1HL-2L
№ 8: 8532 24 00 00
verfügbar: 1921 Stück
erwartet: 5000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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100+ 0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 10
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Produktcode: 2568		 EXR_080421.pdf
1000uF 50V EXR 16x26mm (low imp.) (EXR102M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator niedrige Impedanz)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 1000uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 16x26mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 199 Stück
erwartet: 3000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
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1000+ 0.3 EUR
BD912
Produktcode: 2464		 description BD909,910,911,912.pdf
BD912
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
U, V: 100
U, V: 100
I, А: 15
h21,max: 250
auf Bestellung 585 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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