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IRFP3710PBF
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Produktcode: 54050
Hersteller: IRGehäuse: TO-247
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.025
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/190
Bem.: 200
JHGF: 14/58
verfügbar 5 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.88 EUR |
Produktrezensionen
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 359 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 836 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 51A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 66.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 51A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 66.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 29 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 47 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 753 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2984 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 1140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1319 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3710PBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
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auf Bestellung 130 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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TC4429CPA Produktcode: 25998 |
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Hersteller: TI
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 20
I o +/-, A: 6
V out, V: 2,4-20
T on/T off, ns: 25/55
Роб.темп.,°С: 0…+70°C
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 20
I o +/-, A: 6
V out, V: 2,4-20
T on/T off, ns: 25/55
Роб.темп.,°С: 0…+70°C
auf Bestellung 21 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.66 EUR |
4,7 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-4R7-Hitano) Produktcode: 13652 |
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 4,7 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 4,7 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 13601 Stück
1198 Stück - stock Köln
12403 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
12403 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.01 EUR |
100+ | 0.0056 EUR |
22 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-22R-Hitano) Produktcode: 11070 |
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 22 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 22 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 10096 Stück
1200 Stück - stock Köln
8896 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
8896 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.01 EUR |
100+ | 0.0056 EUR |
10 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-10R-Hitano) Produktcode: 11065 |
![]() |
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 14341 Stück
1500 Stück - stock Köln
12841 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
12841 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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10+ | 0.01 EUR |
100+ | 0.0056 EUR |
BZX55-C18 Produktcode: 2473 |
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
auf Bestellung 4152 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.04 EUR |
10+ | 0.03 EUR |
100+ | 0.028 EUR |