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IRFP3710PBF

IRFP3710PBF

irfp3710pbf-221312.pdf
Produktcode: 54050
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.025
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/190
Bem.: 200
JHGF: 14/58
verfügbar 2 Stück:
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IRFP3710PBF IRFP3710PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp3710-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3710PBF IRFP3710PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp3710-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3710PBF IRFP3710PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
24+2.99 EUR
28+2.56 EUR
29+2.53 EUR
30+2.42 EUR
31+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 24
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IRFP3710PBF IRFP3710PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfp3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFP3710PBF IRFP3710PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfp3710-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRFP3710PBF IRFP3710PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFP3710_DataSheet_v01_01_EN-3363124.pdf MOSFETs MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
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IRFP3710PBF IRFP3710PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837942-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP3710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.025 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFP3710PBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfp3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628fd1a1ffa N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 87; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 3000 @ 25; Qg, нКл = 190; Rds = 0,025 @ 28 A, 10 B; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 2...4 B; Pb-free; TO-247AC
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10+3.37 EUR
100+2.97 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFP3710PBF IRFP3710PBF Hersteller : Infineon Technologies irfp3710pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535628fd1a1ffa Description: MOSFET N-CH 100V 57A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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UC2843AN
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MS-DIP/SO10 (Brettschaltung)
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MS-DIP/SO10 (Brettschaltung)
Hersteller: MAJ-STAR
Steckbretter > Experimentierplatinen (Leiterplatten)
Габарити: 15,5x21мм
Опис: Brettschaltung
Тип: Перехідники
Вид: одностороння
verfügbar: 307 Stück
1 Stück - stock Köln
306 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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TC4429CPA
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TC4429CPA
Hersteller: TI
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 20
I o +/-, A: 6
V out, V: 2,4-20
T on/T off, ns: 25/55
Роб.темп.,°С: 0…+70°C
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erwartet 5 Stück:
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10 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Produktcode: 11065
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CR-S_080911.pdf
10 Ohm 5% 0,25W Ausfuhr. (CR025SJTB-10R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 10843 Stück
1500 Stück - stock Köln
9343 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 500 Stück
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10+0.01 EUR
100+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BZX55-C18
Produktcode: 2473
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BZX55.pdf
BZX55-C18
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 18
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 14.4mV/K
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