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IRFP3710 Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 100V 57A 25mΩ TO247AC

IRFP3710 Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 100V 57A 25mΩ TO247AC

irfp3710.pdf
Produktcode: 30169
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Uds,V: 100
Idd,A: 57
Rds(on), Ohm: 0.025
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/190
JHGF: THT
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Technische Details IRFP3710 Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 100V 57A 25mΩ TO247AC IR

2 oder 5 Stück IRFP3710 Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 100V 57A 25mΩ TO247AC

Fortschrittliche Verfahrenstechnik

Dynamische dv / dt-Bewertung

175 ° C Betriebstemperatur

Schnelles Umschalten

 

Hersteller            Infineon (International Rectifier)

Transistortyp      N-MOSFET

Polarisierung      unipolar    

Transistor-Art     HEXFET     

Drain-Source Spannung       100V

Drainstrom         57A  

Leistung     200W       

Gehäuse    TO247AC

Gate-Source Spannung        20V  

Widerstand im Leitungszustand   25mΩ       

Thermischer Widerstand Verbindung - Gehäuse    0,75K/W   

Montage   THT  

Produktcode 30169

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFP3710 Hersteller : International Rectifier N-MOSFET HEXFET 57A 100V 200W 0.0025Ω IRFP3710 TIRFP3710
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IRFP3710 IRFP3710 Hersteller : Infineon / IR Infineon_IRFP3710_DataSheet_v01_01_EN-3363124.pdf MOSFETs
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Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,7mm
Typ: Metall-folien miniatur
-55...+155°C
verfügbar: 1679 Stück
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1429 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Resistenz: 5,1 kOhm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25 W
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verfügbar: 1229 Stück
590 Stück - stock Köln
639 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 5000 Stück
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Anzahl Preis ohne MwSt
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1000+ 0.0084 EUR
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1000+ 0.0084 EUR
Mindestbestellmenge: 10