IRFP3415PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFP3415PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRFP3415PBF nach Preis ab 1.79 EUR bis 4.84 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRFP3415PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP3415PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP3415PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP3415PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP3415PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 133.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP3415PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: THT Gate charge: 133.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRFP3415PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 43A 42mOhm 144.4nCAC |
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IRFP3415PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3786 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP3415PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3415PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3415PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3415PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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