IRFP3206PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFP3206PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFP3206PBF nach Preis ab 1.8 EUR bis 7.05 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFP3206PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFP3206PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 200A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 4465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 4464 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg |
auf Bestellung 3942 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4772 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 1033 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
auf Bestellung 1315 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFP3206PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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