IRFP260NPBF

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Produktcode: 47253

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 200
Idd,A: 50
Rds(on), Ohm: 01.04.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 4057/234
JHGF: THT

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	IRFP260N Produktcode: 18423	Hersteller : IR	Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-247 Uds,V: 200 Idd,A: 50 Rds(on), Ohm: 01.04.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 4057/254 JHGF: THT	auf Bestellung 1 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) erwartet 100 Stück: 100 Stück - erwartet 18.08.2024	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 1.4 EUR 10+  1.2 EUR kaufen

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	IRFP260NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube	auf Bestellung 698 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 33+ 4.7 EUR 52+  2.84 EUR 100+  2.66 EUR Mindestbestellmenge: 33 kaufen
	IRFP260NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC	auf Bestellung 5686 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 6.62 EUR 10+  6.58 EUR 25+  5.03 EUR 100+  4.35 EUR 400+  3.31 EUR 1200+  3.2 EUR kaufen
	IRFP260NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4057 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25	auf Bestellung 9174 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 3+ 6.64 EUR 25+  5.26 EUR 100+  4.51 EUR 500+  4.01 EUR 1000+  3.43 EUR 2000+  3.23 EUR 5000+  3.1 EUR Mindestbestellmenge: 3 kaufen
	IRFP260NPBF	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRFP260NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	auf Bestellung 9107 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	kaufen
	IRFP260NPBF	Hersteller : Infineon	Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO247AC Udss=200V; Id=49A; Pdmax=300W; Rds=0,04 Ohm	auf Bestellung 66 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Anzahl Preis ohne MwSt 1+ 8.01 EUR 10+  7.28 EUR 100+  6.55 EUR kaufen
	IRFP260NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRFP260NPBF	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRFP260NPBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen
	IRFP260NPBF	Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 35A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: THT Gate charge: 234nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced	Produkt ist nicht verfügbar	kaufen

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1N5349B Produktcode: 36545

Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-201
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 100mA
Pmax: 5
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -

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BZX55-C12 Produktcode: 26387

Hersteller: YJ/NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 0,033
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K

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1 kOhm 5% 5W (MOR500SJTB-1K-Hitano) Produktcode: 50096

Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 5W (außer Zement-)
Resistenz: 1 kOhm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 5W
U Betriebs.,V: 1000V
Abmessungen: 17,0x6,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid

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R16 1 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B102-L15) Produktcode: 26720

Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 1 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний

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R16 5 kOhm linear mono (KLS4-WH148-1A-2-18T-B502-L15) Produktcode: 28628

Hersteller: CTR
Widerstand > Widerstande wechselnd (Potentiometer)
Nennwert: 5 kOhm
Beschreibung: Kohlenstoff- Potentiometer linear, mono
Typ: verdrehbar
Abmessungen: D=17 мм
Потужність: 0,06 W
Шток: 15 mm
Характеристика: Лінійний

verfügbar: 1087 Stück

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