![IRFP250NPBF IRFP250NPBF](/img/to-247.jpg)
IRFP250NPBF
![irfp250npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356288b8b1fde](/images/adobe-acrobat.png)
Produktcode: 40169
Hersteller: IRGehäuse: TO-247
Uds,V: 200
Idd,A: 30
Rds(on), Ohm: 0.075
Ciss, pF/Qg, nC: 2159/123
JHGF: THT
verfügbar 40 Stück:
10 Stück - stock Köln
30 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 1.16 EUR |
Produktrezensionen
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Technische Details IRFP250NPBF IR
- MOSFET, N, 200V, 30A, TO-247AC
- Transistor Polarity:N
- Max Voltage Vds:200V
- On State Resistance:0.075ohm
- Power Dissipation:214W
- Transistor Case Style:TO-247AC
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-247AC
- Cont Current Id:30A
- Junction to Case Thermal Resistance A:0.83`C/W
- Max Voltage Vgs th:4V
- Power Dissipation Pd:214W
- Pulse Current Idm:120A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Type:MOSFET
- Typ Voltage Vds:200V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRFP250NPBF nach Preis ab 1.4 EUR bis 6.3 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFP250NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 2303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4635 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Power dissipation: 214W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 411 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 444 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 834 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2159 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7700 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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auf Bestellung 4637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1079 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
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auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFP250NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
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Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
UF4007 Dioden superschnelle 75ns neu Produktcode: 17804 |
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Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
ZCODE: 8541 10 00 10
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: UF4001, UF4002, UF4003, UF4004, UF4005, UF4006, STTH110, MUR140, MUR160, HER107, HER108
ZCODE: 8541 10 00 10
verfügbar: 2917 Stück
513 Stück - stock Köln
2404 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2404 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.5 EUR |
10+ | 0.45 EUR |
100+ | 0.2 EUR |
1N5349B Produktcode: 36545 |
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Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-201
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 100mA
Pmax: 5
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-201
Ustab.,V: 12
Istab.direkt,A: 100mA
Pmax: 5
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
auf Bestellung 849 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 100 Stück:
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.2 EUR |
100+ | 0.16 EUR |
TIP41C (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 25815 |
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Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 6
h21: 75
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
fT: 3 MHz
Uceo,V: 100
Ucbo,V: 100
Ic,A: 6
h21: 75
ZCODE: THT
auf Bestellung 182 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 545 Stück:
500 Stück - erwartet 01.09.2024Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.29 EUR |
L7812CV Produktcode: 29158 |
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Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
verfügbar: 4124 Stück
21 Stück - stock Köln
4103 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
4103 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.24 EUR |
10+ | 0.22 EUR |
100+ | 0.16 EUR |
1000+ | 0.14 EUR |
1N4007 Produktcode: 176822 |
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 49699 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)erwartet 1000 Stück: