IRFL9014TRPBF
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1+ | 0.57 EUR |
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Technische Details IRFL9014TRPBF IR
- MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- D
Möglichen Substitutionen IRFL9014TRPBF IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRFL9014 Produktcode: 123235 |
Hersteller : SILI |
 Transistoren > Transistoren P-Kanal-FeldGehäuse: SOT-223 Uds,V: 60 V Id,A: 1,8 A Rds(on),Om: 0,05 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 270/12 |
auf Bestellung 28 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRFL9014TRPBF nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 52500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 67575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 9768 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.1A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.1A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 9768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET P-Chan 60V 1.1 Amp |
auf Bestellung 20992 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
auf Bestellung 68292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL9014TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 23687 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9014TRPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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