IRFIZ34GPBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 2036 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 4+ | 4.51 EUR |
| 50+ | 3.61 EUR |
| 100+ | 2.97 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| 1000+ | 2.13 EUR |
| 2000+ | 2.03 EUR |
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Technische Details IRFIZ34GPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFIZ34GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFIZ34GPBF nach Preis ab 2.34 EUR bis 4.86 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFIZ34GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V N-CH HEXFET MOSFET |
auf Bestellung 1742 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFIZ34GPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIZ34GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIZ34GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFIZ34GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFIZ34GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFIZ34GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFIZ34GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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