![IRFI9630GPBF IRFI9630GPBF](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/B4/CE/00/00/0/60491_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=aade3e087e7ca58d611bceb15d53dbb3b56b0d73)
IRFI9630GPBF VISHAY
![IRFI9630GPBF.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -2.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
63+ | 1.14 EUR |
67+ | 1.07 EUR |
75+ | 0.96 EUR |
80+ | 0.9 EUR |
85+ | 0.84 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFI9630GPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFI9630GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 4.3 A, 0.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFI9630GPBF nach Preis ab 0.84 EUR bis 4.26 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI9630GPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -2.7A; 35W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -2.7A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9630GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 1254 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9630GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2043 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFI9630GPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI9630GPBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
![]() |
IRFI9630GPBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |