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Technische Details IRFI830GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFI830GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.1 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFI830GPBF nach Preis ab 0.86 EUR bis 1.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFI830GPBF | Hersteller : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI830GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRFI830GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI830GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI830G |
auf Bestellung 1977 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI830GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
auf Bestellung 783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI830GPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI830GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.1 A, 1.5 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 32W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 1433 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI830GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI830GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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