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IRFI740G

IRFI740G

sihfi740jh67g4.pdf
Produktcode: 77936
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 400
Idd,A: 03.04.2015
Rds(on), Ohm: 0.55
Ciss, pF/Qg, nC: 1370/66
JHGF: THT
verfügbar 15 Stück:
Anzahl Preis ohne MwSt
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Technische Details IRFI740G IR

  • MOSFET, N FULLPAK
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:400V
  • On State Resistance:0.55ohm
  • Power Dissipation:40W
  • Transistor Case Style:TO-220
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220 Fullpak
  • Cont Current Id:5.4A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Isolation voltage:2.5kV
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:40W
  • Pulse Current Idm:22A
  • Transistor Type:MOSFET

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFI740G Hersteller : Siliconix sihfi740.pdf N-MOSFET 5.7A 400V 40W 0.55Ω IRFI740G TIRF740 iso
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Mindestbestellmenge: 20
IRFI740G IRFI740G Hersteller : Vishay Siliconix sihfi740.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 25 V
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IRFI740G IRFI740G Hersteller : Vishay / Siliconix sihfi740-1768798.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI740GPBF
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Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 02.07.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 110/1.0
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 368 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.12 EUR