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IRFI640GPBF VISHAY
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1024 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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38+ | 1.93 EUR |
42+ | 1.72 EUR |
47+ | 1.53 EUR |
55+ | 1.32 EUR |
58+ | 1.24 EUR |
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Technische Details IRFI640GPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFI640GPBF nach Preis ab 1.24 EUR bis 3.91 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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IRFI640GPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.8A Pulsed drain current: 39A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1024 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI640GPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 160 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI640GPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI640GPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 430 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI640GPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI640GPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 584 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI640GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI640GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
auf Bestellung 829 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI640GPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI640GPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI640GPBF | Hersteller : Vishay |
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