IRFH5053TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFH5053TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFH5053TRPBF nach Preis ab 1.09 EUR bis 3.66 EUR
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IRFH5053TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R |
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IRFH5053TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V |
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IRFH5053TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V |
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IRFH5053TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC |
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IRFH5053TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFH5053TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R |
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IRFH5053TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R |
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IRFH5053TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.3A; 3.1W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.3A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5053TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.3A; 3.1W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.3A Power dissipation: 3.1W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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