IRFH5015TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFH5015TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFH5015TRPBF nach Preis ab 0.78 EUR bis 3.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 50 V |
auf Bestellung 7701 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 150V SINGLE N-CH 31mOhms 33nC |
auf Bestellung 3780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5015TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 10 A, 0.0255 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 10A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 10A Power dissipation: 250W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRFH5015TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 10A; 250W; PQFN5X6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 10A Power dissipation: 250W Case: PQFN5X6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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