IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFH4253DTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 10Pin(s), Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal + Schottky, Verlustleistung, n-Kanal: 50W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Weitere Produktangebote IRFH4253DTRPBF nach Preis ab 1.72 EUR bis 4.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFH4253DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH4253DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 31W, 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs |
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IRFH4253DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 25V Dual N-Ch 1.45mOhm 31nC 45A |
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IRFH4253DTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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IRFH4253DTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH4253DTRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 25 V, 145 A, 0.0011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 145A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V euEccn: NLR Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 10Pin(s) Produktpalette: FastIRFET HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Verlustleistung, n-Kanal: 50W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
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IRFH4253DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH4253DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 64A/145A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFH4253DTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 31W, 50W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A, 145A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs |
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