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IRFD9220PBF

irfd9220pbf.pdf
Produktcode: 31846
Hersteller: IR
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 200
Id,A: 0.6
Rds(on),Om: 1.5
Ciss, pF/Qg, nC: 340/15
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : VISHAY IRFD9220PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DIP4
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.36A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : VISHAY IRFD9220PBF.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -0.36A; 1W; DIP4
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: DIP4
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -0.36A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd922.pdf MOSFET 200V P-CH HEXFET MOSFET
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay sihfd922.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329300-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9220PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 560 mA, 1.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 560mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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IRFD9220PBF IRFD9220PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd922.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 560mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 340mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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IRLML5103TR
Produktcode: 25079		 irlml5103.pdf
IRLML5103TR
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Id,A: 0.76
Rds(on),Om: 0.6
Ciss, pF/Qg, nC: 78/3.4
Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
verfügbar: 309 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.1 EUR
10+ 0.098 EUR
100+ 0.096 EUR
MC79M12BDT
Produktcode: 30228		 mc79m00-d-1193544.pdf
MC79M12BDT
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-252-3
Uin, V: -35 V
Uout,V: -12 V
Iout,A: 0,5 A
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: -40...125°C
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1 Stück:
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MEB 1uF 100VDC J(+/-5%), P=5mm, 7,8x13x7,8mm (MEB105J2AB-Hitano)
Produktcode: 60587		 MEB_091113.pdf
MEB 1uF 100VDC J(+/-5%), P=5mm, 7,8x13x7,8mm (MEB105J2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 1uF
Nennspannung, V: 100VDC
Präzision: ±5% J
Abstand ausg. und Abmessungen: P=5mm, 7,8x13x7,8mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MEB105J2AB
auf Bestellung 582 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.5 EUR
10+ 0.42 EUR
100+ 0.37 EUR
2 kOhm 3296W (KLS4-3296W-202)
Produktcode: 98330		 kls4-3296-datasheet.pdf
2 kOhm 3296W (KLS4-3296W-202)
Hersteller: KLS
Widerstande Trimmer > Widerstand Trimmer THT
Nennwert: 2 kOhm
Serie: 3296W
Beschreibung: Trimmer, Ausfuhrungs-, Multiturn, Einstellung oben
Abmessungen: 9,53x10,03x4,83mm
Тип монтажу: Вертикальний
Потужність: 0,5 W
Механізм роботи: Багатооборотний
auf Bestellung 967 Stück:
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Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.2 EUR
10+ 0.16 EUR
PMBF107
Produktcode: 19825		 PMBF107.pdf
PMBF107
Hersteller: Philips
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 200
Idd,A: 01.01.2000
Rds(on), Ohm: 0.28
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
JHGF: SMD
verfügbar: 522 Stück
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100+ 0.036 EUR