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IRFD9110 Vishay
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Produktcode: 59118
Hersteller: VishayGehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100
Id,A: 0.7
Rds(on),Om: 1.2
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
/: THT
auf Bestellung 24 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.38 EUR |
10+ | 0.34 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.49A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.49A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 168 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 3257 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2875 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9110 | Hersteller : Harris Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9110 | Hersteller : Siliconix |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFD9110 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD9110 | Hersteller : Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD9110 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
![]() ![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD9110 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD9110PBF | Hersteller : Vishay |
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IRFD110PBF Produktcode: 98653 |
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100
Idd,A: 01.07.2000
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 03.08.180
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100
Idd,A: 01.07.2000
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 03.08.180
JHGF: THT
verfügbar: 36 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.4 EUR |
10+ | 0.38 EUR |
270 Ohm 5% 3W Ausfuhr. (MOR300SJTB-270R-Hitano) Produktcode: 50636 |
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Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 270 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±300ppm
P Nenn.,W: 3W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 15x5mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+200°C
Widerstande THT > Widerstande THT - 3W 4W
Resistenz: 270 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%, ±300ppm
P Nenn.,W: 3W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 15x5mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+200°C
auf Bestellung 245 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
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1+ | 0.06 EUR |
10+ | 0.044 EUR |
100+ | 0.035 EUR |