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Technische Details IRFD9014PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote IRFD9014PBF nach Preis ab 0.56 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFD9014PBF | Hersteller : VISHAY |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.8A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFD9014PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.8A; 1.3W; DIP4 Case: DIP4 Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.8A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.3W Polarisation: unipolar |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 2038 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET H |
auf Bestellung 4132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 1.1A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
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IRFD9014PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9014PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 189 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9014PBF Produktcode: 43657 |
Hersteller : Vishay |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: HVMDIP Uds,V: 60 V Id,A: 1,1 A Rds(on),Om: 0,50 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 270/12 /: THT |
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IRFD9014PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |