IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay)
Produktcode: 148947
Hersteller: VishayUds,V: 100 V
Idd,A: 1,3 A
Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 450/11
JHGF: THT
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Analogon IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) Vishay
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Produktcode: 156294 |
Hersteller : Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 JHGF: THT |
auf Bestellung 27 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRFD120PBF (DIP4-300, Vishay) nach Preis ab 0.59 EUR bis 2.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRFD120PBF (DIP4-300, Siliconix) Produktcode: 156294 |
Hersteller : Vishay |
Transistoren > MOSFET N-CH Uds,V: 100 V Idd,A: 1,3 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 360/16 JHGF: THT |
auf Bestellung 27 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 2768 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.94A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.94A; 1.3W; DIP4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.94A Power dissipation: 1.3W Case: DIP4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1868 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 429 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 7600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 531 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP Packaging: Bulk Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, DIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1834 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFD120PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD120PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 100V N-CH HEXFET HEXDI |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD120PBF Produktcode: 28377 |
Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: HEXDIP (DIP4-300) Uds,V: 100 Idd,A: 01.03.2015 Rds(on), Ohm: 01.03.2000 Ciss, pF/Qg, nC: 01.11.450 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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