![IRFBG30PBF IRFBG30PBF](/img/to-220ab-im.png)
IRFBG30PBF Siliconix
![irfbg30pbf-datasheet.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Produktcode: 29889
Hersteller: SiliconixUds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
auf Bestellung 54 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote IRFBG30PBF nach Preis ab 0.94 EUR bis 4.03 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 895 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 5300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
![]() |
auf Bestellung 7368 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
IRFBG30PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3843 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 851 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
IRFBG30PBF |
![]() |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFBG30PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
UC3845BN Produktcode: 4328 |
![]() |
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
verfügbar: 175 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 1.06 EUR |
10+ | 0.84 EUR |
100+ | 0.73 EUR |
UC3842BN Produktcode: 17968 |
![]() |
![]() |
Hersteller: ST/UTC
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 11...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 11...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung 289 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.44 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
US1M Produktcode: 30533 |
![]() |
Hersteller: DC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
verfügbar: 270 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.08 EUR |
10+ | 0.064 EUR |
100+ | 0.047 EUR |
KLS6-MF72-5D9 Produktcode: 151396 |
![]() |
Hersteller: KLS
Passive Bauelemente > Thermistoren
Beschreibung: NTC термістор, 5 Ohm, 3A, D = 9mm
Nennwert: 5 Ohm
Застосування: Запобіжні
Струм,макс.: 3A
Тип: NTC
Розмір: D=9 mm
Passive Bauelemente > Thermistoren
Beschreibung: NTC термістор, 5 Ohm, 3A, D = 9mm
Nennwert: 5 Ohm
Застосування: Запобіжні
Струм,макс.: 3A
Тип: NTC
Розмір: D=9 mm
auf Bestellung 1492 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)STP4NK60ZFP Produktcode: 3364 |
![]() |
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 2
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 510 Stück
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1+ | 0.7 EUR |
10+ | 0.57 EUR |
100+ | 0.45 EUR |