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Technische Details IRFBC30APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IRFBC30APBF nach Preis ab 1.17 EUR bis 3.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRFBC30APBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFBC30APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 600V N-CH HEXFET |
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IRFBC30APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBC30APBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
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IRFBC30APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRFBC30APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRFBC30APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRFBC30APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 23nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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