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Technische Details IRFBC20PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFBC20PBF nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFBC20PBF | Hersteller : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFBC20PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.4A; Idm: 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
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IRFBC20PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 2.2A N-CH |
auf Bestellung 2644 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBC20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC20PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
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IRFBC20PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBC20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.2 A, 4.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.4ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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IRFBC20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 7700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC20PBF Produktcode: 34302 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFBC20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFBC20PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |