IRFB7734PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB7734PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 0.0035 ohm, TO-2220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 183A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: TO-2220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFB7734PBF nach Preis ab 1.18 EUR bis 3.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRFB7734PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7734PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 4230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7734PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7734PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7734PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 848 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7734PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power |
auf Bestellung 724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB7734PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6374 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB7734PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7734PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7734PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 75 V, 183 A, 0.0035 ohm, TO-2220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 183A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: TO-2220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 894 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7734PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 183A Power dissipation: 290W Case: TO220AB On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB7734PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 183A; 290W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 183A Power dissipation: 290W Case: TO220AB On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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