IRFB7537PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB7537PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 173 A, 0.00275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 173A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFB7537PBF nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.87 EUR
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IRFB7537PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7537PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7537PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7537PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7537PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 142nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Case: TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 173A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB7537PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 142nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Case: TO220AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 173A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar |
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IRFB7537PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB |
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IRFB7537PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 173A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3811 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB7537PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB7537PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 173 A, 0.00275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4098 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7537PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1259 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7537PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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