IRFB61N15DPBF INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - IRFB61N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 42 Stücke:
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Technische Details IRFB61N15DPBF INFINEON
Description: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IRFB61N15DPBF Produktcode: 116418 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFB61N15DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB61N15DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 25 V |
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IRFB61N15DPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 95nC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB61N15DPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |