IRFB5615PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB5615PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFB5615PBF nach Preis ab 0.7 EUR bis 3.34 EUR
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB5615PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 144W Polarisation: unipolar Gate charge: 26nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB5615PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Kind of package: tube Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A On-state resistance: 39mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 144W Polarisation: unipolar Gate charge: 26nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220AB |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs Audio MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC |
auf Bestellung 3403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V |
auf Bestellung 3989 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 3513 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB5615PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB5615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFB5615PBF Produktcode: 118300 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFB5615PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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