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IRFB4510PBF

IRFB4510PBF Infineon

irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40
Produktcode: 58620
Hersteller: Infineon
Uds,V: 100 V
Idd,A: 62 A
Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58
JHGF: THT
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 62A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 58nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: 62A
On-state resistance: 13.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 58nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 100V
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Mindestbestellmenge: 40
IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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112+ 1.28 EUR
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40 Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
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1000+ 1.03 EUR
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4510_DataSheet_v01_01_EN-3363086.pdf MOSFETs 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : INFINEON 1627131.pdf Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRFB4510PBF irfb4510pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561651d81e40 IRFB4510PBF Транзисторы
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IRFB4510PBF IRFB4510PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4510pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Produktcode: 26154		 description MBR20100CT.pdf
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Vrrm(V): 100
If(A): 20
VF@IF: 0,8
Bemerkung: OK 2x10
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 150 A
auf Bestellung 591 Stück:
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10+ 0.42 EUR
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Produktcode: 31944		 irf9540npbf.pdf
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Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Id,A: 23
Rds(on),Om: 0.117
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/97
/: THT
verfügbar: 587 Stück
14 Stück - stock Köln
573 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.58 EUR
10+ 0.52 EUR
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Produktcode: 24004		 BZX79.pdf
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Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-35
Ustab.,V: 15
Istab.direkt,A: 0,026
Pmax: 0,4
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 11.4mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 1598 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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Gehäuse: DIP-4
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U-isol, kV: 5
I-ein/ I-ausg, mA: 50/50
U ausg, V: 6
Ton/Toff, µs: 4/3
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
auf Bestellung 6410 Stück:
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IRLML9301TRPBF
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Gebr.: Керування логічним рівнем
/: SMD
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