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IRFB4137PBF

IRFB4137PBF Infineon Technologies

infineon-irfb4137-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRFB4137PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 341W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IRFB4137PBF IRFB4137PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4137_DataSheet_v01_01_EN-3363184.pdf MOSFETs 300V, 40A, 69 mOhm 83 nC Qg, TO-220AB
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IRFB4137PBF IRFB4137PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4137-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4137PBF IRFB4137PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4137-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4137PBF IRFB4137PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4137pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615cb511e13 Description: MOSFET N-CH 300V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5168 pF @ 50 V
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IRFB4137PBF IRFB4137PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4137-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4137PBF IRFB4137PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838195-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4137PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 38 A, 0.056 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFB4137PBF IRFB4137PBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS IRSDS13368-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4137PBF - IRFB4137 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IRFB4137PBF IRFB4137PBF
Produktcode: 58576 		irfb4137pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615cb511e13 Transistoren > MOSFET N-CH
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IRFB4137PBF IRFB4137PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4137-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4137PBF IRFB4137PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4137PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRFB4137PBF IRFB4137PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4137PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 38A
Power dissipation: 341W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
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