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IRFB4115PBF

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irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f
Produktcode: 37473
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 104 A
JHGF: THT
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFB4115_DataSheet_v01_01_EN-3363256.pdf MOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Hersteller : Infineon Technologies irfb4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615ba6a1e0f Description: MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4115pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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500+ 2.76 EUR
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4115pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838127-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFB4115PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0093ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRFB4115PBF IRFB4115PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irfb4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 104A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745		 cd00001225.pdf
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
verfügbar: 8 Stück
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1+0.1 EUR
Измерительная панель PZEM-004T с ТТ (Peacefair) 80-260VAC, 100A
Produktcode: 177654		 pzem-004t-info.pdf
Измерительная панель PZEM-004T с ТТ (Peacefair) 80-260VAC, 100A
Hersteller: PeaceFair
Modulare Elemente > Blöcke und Module
BESCHREIBUNG: Вимірювач потужності з безконтактним кільцевим струмовим датчиком 100A(dвн.16mm): Діапазон вимірювання струму: AC 0 ... 100А, діапазон вимірювання напруги: AC 80 ... 260 В, діапазон вимірювання потужності: 23 кВт, діапазон спожитої енергії: 0 ... 9999 , 99 кВт/г, коефіцієнт потужності PF 0 ... 1, частота: 45 ... 65Hz. Інтерфейс TTL RS485 (Швидкість передачі 9600, 8 біт даних, 1 стоповий біт, без контролю парності). Збереження даних при виключенні. Розмір: 78x37x19мм
Призначення: Вимірювання мультиметр
Тип виробу: Готовий модуль
erwartet: 40 Stück
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 1526		 RC_series.pdf
10 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Uni-Ohm
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10 Ohm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 6574 Stück
erwartet: 40000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.005 EUR
100+ 0.0034 EUR
1000+ 0.0028 EUR
Mindestbestellmenge: 10
RM6 Satz (Ferrit 3С90(2шт) Lücke 0,15mm; Karkasse Vertikal 6pin; 2 Klammer) Li Tone
Produktcode: 5440
RM6 Satz (Ferrit 3С90(2шт) Lücke 0,15mm; Karkasse Vertikal 6pin; 2 Klammer) Li Tone
Hersteller: LiTone
Transformatoren, Netzfilter, Drosseln > Kerne, Rahmen, Klammern
Gruppe: Kern, Karkasse, Klammer
Serie: RM
Typ: ringförmig
Größe, Typ: RM6
Beschreibung: Satz (Ferrit 3С90(2шт) Lücke 0,15mm; Karkasse Vertikal 6pin; 2 Klammer)
Material: PBT, Schwarz
auf Bestellung 173 Paar:
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10+ 0.95 EUR
100+ 0.82 EUR
15 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-15R-Hitano)
Produktcode: 11067		 CR-S_080911.pdf
15 Ohm 5% 0,25W (CR025SJTB-15R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Resistenz: 15 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 0,25W
U Betriebs.,V: 250V
Typ: Ausfuhr. (S)
Abmessungen: 3.2х1.6mm; DAusführ.=0.45mm
verfügbar: 4917 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
10+0.01 EUR
100+ 0.0056 EUR
Mindestbestellmenge: 10