IRFB4019PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB4019PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.08 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFB4019PBF nach Preis ab 0.81 EUR bis 5.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4019PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 80W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB4019PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 80W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 17A On-state resistance: 95mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 17A 95mOhm 13nC Qg |
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V |
auf Bestellung 653 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB4019PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB4019PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 17 A, 0.08 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 391 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 24 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon |
Транзистор N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB; HEXFET® |
auf Bestellung 97 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB4019PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB4019PBF Produktcode: 171727 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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