IRFB3806PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB3806PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 71W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFB3806PBF nach Preis ab 0.5 EUR bis 2.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IRFB3806PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB3806PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB3806PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB3806PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB3806PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC Qg |
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IRFB3806PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFB3806PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 43A Power dissipation: 71W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRFB3806PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V |
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IRFB3806PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3806PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.0126 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0126ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFB3806PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB3806PBF Produktcode: 72842 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFB3806PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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