IRFB3407ZPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 153+ | 0.99 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRFB3407ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFB3407ZPBF nach Preis ab 0.96 EUR bis 2.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFB3407ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IRFB3407ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
IRFB3407ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IRFB3407ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs N |
auf Bestellung 837 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IRFB3407ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 50 V |
auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IRFB3407ZPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFB3407ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 0.005 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
| IRFB3407ZPBF | Hersteller : Infineon |
|
auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||||||||||||
 |
IRFB3407ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
|
IRFB3407ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 122A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |