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IRFB17N50LPBF

IRFB17N50LPBF Vishay

irfb17n50l.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRFB17N50LPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V.

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IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Hersteller : Vishay irfb17n50l.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Hersteller : Vishay irfb17n50l.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Hersteller : VISHAY IRFB17N50L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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35+2.10 EUR
36+1.99 EUR
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IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Hersteller : VISHAY IRFB17N50L.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Hersteller : Vishay Semiconductors irfb17n50l.pdf MOSFETs TO220 500V 16A N-CH MOSFET
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10+9.22 EUR
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IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Hersteller : Vishay irfb17n50l.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Hersteller : Vishay Siliconix irfb17n50l.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
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2+11.25 EUR
50+6.01 EUR
100+5.50 EUR
500+4.62 EUR
1000+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Hersteller : Vishay irfb17n50l.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFB17N50LPBF Hersteller : Vishay/IR irfb17n50l.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 16 А; Ptot, Вт = 220; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 2760 @ 25; Qg, нКл = 130 @ 10 В; Rds = 320 мОм @ 9,9 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА; TO-220AB
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2+3.54 EUR
10+3.05 EUR
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IRFB17N50LPBF
Produktcode: 190279
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IRFB17N50LPBF IRFB17N50LPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0012397596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFB17N50LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 16 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 16
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 220
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 220
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28
SVHC: To Be Advised
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