IRFB11N50APBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 52nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 701 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 42+ | 1.72 EUR |
| 47+ | 1.53 EUR |
| 53+ | 1.36 EUR |
| 54+ | 1.33 EUR |
| 57+ | 1.26 EUR |
| 59+ | 1.23 EUR |
| 250+ | 1.22 EUR |
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Technische Details IRFB11N50APBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRFB11N50APBF nach Preis ab 1.21 EUR bis 3.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRFB11N50APBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 7A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 701 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V N-CH HEXFET |
auf Bestellung 2751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
auf Bestellung 608 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 625 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFB11N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 714 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB11N50APBF Produktcode: 27308 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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IRFB11N50APBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB11N50APBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFB11N50APBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET PLANAR >= 100V |
Produkt ist nicht verfügbar |