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IRFB11N50APBF-BE3

IRFB11N50APBF-BE3 Vishay

91094.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IRFB11N50APBF-BE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V.

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IRFB11N50APBF-BE3 IRFB11N50APBF-BE3 Hersteller : Vishay Siliconix 91094.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
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IRFB11N50APBF-BE3 IRFB11N50APBF-BE3 Hersteller : Vishay / Siliconix 91094.pdf MOSFETs TO220 500V 11A N-CH MOSFET
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IRFB11N50APBF-BE3 Hersteller : Vishay 91094.pdf Транз. Пол. БМ TO220AB N-Channel Udss=500V; Id=11A; Rds=0,52Ohm Pd=170W
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IRFB11N50APBF-BE3 IRFB11N50APBF-BE3 Hersteller : Vishay 91094.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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