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IRF9Z34PBF VISHAY

Name: IRF9Z34PBF
Brand: VISHAY
SKU: 525226-8
Price: 0.64 EUR
Availability: InStock

Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm

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Technische Details IRF9Z34PBF VISHAY

Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).

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IRF9Z34PBF

Hersteller : VISHAY

Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18A; Idm: -72A; 88W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -18A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
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IRF9Z34PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF9Z34PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF9Z34PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF9Z34PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF9Z34PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

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IRF9Z34PBF

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V P-CH HEXFET MOSFET

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IRF9Z34PBF

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 18 A, 0.14 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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IRF9Z34PBF

Hersteller : VISHAY

Description: VISHAY - IRF9Z34PBF - P CHANNEL MOSFET, -60V, 18A, TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead

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IRF9Z34PBF
Produktcode: 49507

Hersteller : Vishay

Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Id,A: 13
Rds(on),Om: 0.14
Ciss, pF/Qg, nC: 1100/34
/: THT

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IRF9Z34PBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET P-CH 60V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Produkt ist nicht verfügbar

IRF9Z34PBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V

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