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IRF9Z24SPBF

IRF9Z24SPBF VISHAY


IRF9Z24S.pdf Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Technische Details IRF9Z24SPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

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IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Hersteller : VISHAY IRF9Z24S.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; 60W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 146 Stücke:
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IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Hersteller : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Hersteller : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Hersteller : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihf9z24.pdf MOSFETs 60V P-CH HEXFET MOSFET
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IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihf9z24.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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6+3.15 EUR
50+ 2.54 EUR
100+ 2.09 EUR
500+ 1.77 EUR
1000+ 1.5 EUR
2000+ 1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6
IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010924822-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF9Z24SPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 11 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Hersteller : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Hersteller : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF9Z24SPBF IRF9Z24SPBF Hersteller : Vishay sihf9z24.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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