![IRF9Z20PBF IRF9Z20PBF](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/TO_220_AB_3_SPL.jpg)
auf Bestellung 1378 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
2+ | 2.52 EUR |
10+ | 2.15 EUR |
100+ | 1.81 EUR |
250+ | 1.75 EUR |
500+ | 1.58 EUR |
1000+ | 1.36 EUR |
5000+ | 1.31 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF9Z20PBF Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - IRF9Z20PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 9.7 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRF9Z20PBF nach Preis ab 1.67 EUR bis 2.99 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF9Z20PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
auf Bestellung 604 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
![]() |
IRF9Z20PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
![]() |
IRF9Z20PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
![]() |
IRF9Z20PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
![]() |
IRF9Z20PBF | Hersteller : Vishay |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
IRF9Z20PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.7A; Idm: -39A; 40W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -9.7A Pulsed drain current: -39A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||
IRF9Z20PBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -9.7A; Idm: -39A; 40W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -9.7A Pulsed drain current: -39A Power dissipation: 40W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |