IRF9Z14PBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V
auf Bestellung 4619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 13+ | 1.41 EUR |
| 50+ | 1.13 EUR |
| 100+ | 0.9 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
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Technische Details IRF9Z14PBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF9Z14PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRF9Z14PBF nach Preis ab 1.1 EUR bis 1.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IRF9Z14PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET |
auf Bestellung 1530 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9Z14PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z14PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9Z14PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.7 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9Z14PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF9Z14PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 6.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF9Z14PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF9Z14PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.7A; Idm: -27A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |