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Technische Details IRF9630PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRF9630PBF nach Preis ab 0.76 EUR bis 3.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF9630PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9630PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -4A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF9630PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; 74W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -4A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRF9630PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9630PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 200V P-CH HEXFET MOSFET |
auf Bestellung 1405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9630PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
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IRF9630PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9630PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9630PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 6.5 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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IRF9630PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9630PBF Produktcode: 98685 |
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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IRF9630PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9630PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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