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Technische Details IRF9510PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote IRF9510PBF nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.74 EUR
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IRF9510PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9510PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9510PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9510PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9510PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.8A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2.8A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF9510PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -2.8A; 43W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -2.8A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 8.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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IRF9510PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF9510PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V P-CH HEXFET MOSFET |
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IRF9510PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1028 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9510PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 1150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9510PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF9510PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 690 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9510PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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