IRF9393TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details IRF9393TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF9393TRPBF nach Preis ab 0.22 EUR bis 1.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF9393TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 2485 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 55590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.3A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 19.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3844 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.3A; 1.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.3A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 19.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 3844 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 3960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT PCh -30V -9.2A 19.4mOhm 25Vgs |
auf Bestellung 23533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.3mOhm @ 9.2A, 20V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 20V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 19346 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9393TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9.2 A, 0.0133 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9393TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-Pin SOIC T/R |
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