IRF9362TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF9362TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF9362TRPBF nach Preis ab 0.35 EUR bis 1.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET Dual MOSFT PCh -8.0A 21.0mOhm -4.5V capb |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF9362TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.017 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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IRF9362TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
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| IRF9362TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF9362TRPBF SMD P channel transistors |
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