IRF8734TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V
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Technische Details IRF8734TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF8734TRPBF nach Preis ab 0.41 EUR bis 1.72 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF8734TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 136000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 19136 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 1120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 30V 21A 3.5mOhm 20nC Qg |
auf Bestellung 16361 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 15 V |
auf Bestellung 156976 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8734TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3823 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
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IRF8734TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 21A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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