IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2983 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details IRF8721TRPBFXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF8721TRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.43 EUR bis 1.76 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF8721TRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF8721TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14 A, 0.0069 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 2983 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF8721TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF8721TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF8721TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | IRF8721TRPBFXTMA1 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF8721TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF8721TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFETs Y |
Produkt ist nicht verfügbar |